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Hochvolt-Netzteile mit LR8 und Bipolar- bzw. MOSFET (Tech Talk: Röhrenthemen)

verfasst von DB (Landei) ®, 12.03.2017, 09:22

Hallo,
Schiller72
[image]

Bei der MOSFET-Variante wird eine Z-Diode eingesetzt, um die Gate-Source-Spannung UGS (im Einschaltmoment, wenn der 10 µF Kondensator noch einen sehr kleinen Innenwiderstand hat) zu begrenzen, soweit zu logisch. Ein UBEmax habe ich für den TIP50 nicht finden können. Weiß jemand Rat oder kann ich hier den Wert VEBO (Emitter-Base Voltage (IC = 0)) = 5 Volt als Maßstab nehmen ? :gruebel:
Das Datenblatt des TIP50 gibt doch ein V_EB an. In die andere Richtung sind es halt 0,6 ... 0,7V, weil dann die Basis-Emitter-Diodenstrecke leitet.
Wie bist Du denn eigentlich auf den TIP50 gekommen?


MfG
DB

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Nur die Lüge braucht die Stütze der Staatsgewalt. Die Wahrheit steht von alleine aufrecht.
Thomas Jefferson (3. amerikanischer Präsident, 1743-1826)

 

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